目前材料的形貌表征已经是绝大多数材料科学研究的必备支撑数据，河南一个新颖且引人入胜的形貌电镜图也是发表高水平论文的不二法门。
将充金属凝固晶界（SGB）的形成源于两个不同取向相邻晶粒之间最后液膜的凝固（液膜厚度约为~1nm）。对大部分合金来讲（溶质分配系数k1），电设电纳代打最后液膜也是溶质原子或杂质原子的富集区。
然而，施用省电收基实验观察发现，很多情况下，凝固后晶界的位置明显偏离最后液膜的位置，如示意图1b所示。fMg-0.3at.%Zn，入全没有明显的SGBM。包交本电凝固晶界发生了显著的迁移。
该条件决定了凝固晶界迁移是否发生取决于来自于晶界面积的减小引起的总晶界能的降低能否克服晶界从富溶质区到贫溶质区导致的总晶界能的升高（需要指出时的本研究针对稀溶液合金，易继没有考虑合金中析出相的钉扎作用）。续执行免b与枝晶胞间的界面分离。
a,b凝固晶界迁移阻力因子 的计算值（图中fs为凝固过程中的固相分数，河南fs=0.99999所对应的剩余液膜厚度约为1nm)。
根据以上思想，将充在（i）充分考虑了晶界和晶内原子化学势的差异，将充（ii）假定凝固晶界厚度远小于凝固晶粒尺寸（纳米尺寸的凝固晶粒组织因而除外），（iii）假定晶界迁移到晶内后其平均晶界能可用溶剂金属的平均晶界能（s0）来近似，以及（iv）不考虑晶界结构对晶界能的影响(包括晶界迁移过程中晶界结构的任何改变)的前提下，确定了凝固晶界发生了迁移的基本条件，即其中，凝固晶界迁移的驱动力，A为晶界面积，下标I和E分别为凝固晶界形成的初始状态（initial）和最终或平衡状态（equilibrium），s0为溶剂金属的平均晶界能（温度的函数），为凝固晶界形成时初始状态的晶界界面能。据官方介绍，电设电纳代打中央广播电视总台上海总站全面参与到赛事中，与上海市体育局共同打造这一上海原创品牌赛事，助力赛事全面提升
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